西部数据表示:电阻式内存技术并非徒劳一场

发布时间:2022-09-19 23:03:44 来源:华体会注册网址 作者:华体会电竞入口

内容简介:  在完成对SanDisk公司的收购之后,西部数据正积极利用ReRAM——即  去年10月,SanDisk方面曾经与惠普企业业务公司联手对抗XPoint。双方签订了合作协议以开发存储级内存(简称SCM),即一款拥有DRAM级访问速度的非易失性存储介质。这意味着其数据访问速度要远高于NAND。双方当时曾经表示,其SCM技术“预计能够在速度上达到闪存存储方案的1000倍,使用寿命亦可达闪存存储方案的1000倍。”  惠普方面随后拿出了自己的忆阻器技术,而SanDisk则打造出ReRAM技术。在西部数据收购SanDisk之后,我们一直在等待...
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  在完成对SanDisk公司的收购之后,西部数据正积极利用ReRAM——即

  去年10月,SanDisk方面曾经与惠普企业业务公司联手对抗XPoint。双方签订了合作协议以开发存储级内存(简称SCM),即一款拥有DRAM级访问速度的非易失性存储介质。这意味着其数据访问速度要远高于NAND。双方当时曾经表示,其SCM技术“预计能够在速度上达到闪存存储方案的1000倍,使用寿命亦可达闪存存储方案的1000倍。”

  惠普方面随后拿出了自己的忆阻器技术,而SanDisk则打造出ReRAM技术。在西部数据收购SanDisk之后,我们一直在等待着ReRAM能否仍然成为反XPoint的有力武器。另外,追溯至2014年,西部数据所收购的HGST也曾经展示过其读取延迟仅为1.5微秒的相变式内存(简称PCM)设备。这应该也是一款有潜力对抗XPoint的解决方案。

  在上周的闪存记忆体峰会期间,西部数据企业内存技术部门执行副总裁Siva Sivaram透露称,西部数据方面将专注于利用3D ReRAM技术对抗XPoint。ReRAM在弥合DRAM与NAND之间的性能与成本鸿沟方面,优势要较PCM更加明显。

  Anandtech网站转载了Sivaram使用的演示文稿,感兴趣的朋友可以直接点击查看。SCM今年将以高速存储方案的姿态出现,并将在2017年作为DRAM扩展方案,而2018到2019年间的发展目标是逐步取代DRAM,最终于2020年成为通用型内存存储介质。

  对于Sivaram而言,如今的存储级内存的价格/性能定位处于NAND与DRAM之间,其中NAND的访问速度约在10万到25万纳秒,而DRAM则为50到100纳秒。另外,DRAM的每GB使用成本要比NAND高出20倍。他表示SCM的访问延迟水平在250到5000纳秒之间,并指出其使用成本为NAND的四到五倍。

  Sivaram还公布了ReRAM-DRAM成本关系预期发展图,并通过一份演示文稿指出DRAM目前的成本为ReRAM的两倍,而到2023年这一成本对比关系将达到二十倍,这主要是受到ReRAM技术改进与量产化的推动。他同时表示,西部数据的ReRAM将采取分层架构,类似于3D NAND以及XPoint。

  SanDisk方面曾于2013年致力于开发一款双层、32 Gbit、24纳米交叉点ReRAM晶片,其中交叉点一词是指该晶片的架构设计思路。很明显,其与同样使用交叉点架构但制造材料完全不同的英特尔/美光XPoint方案有所区别,后者也并没有使用电阻式RAM技术。事实上,XPoint使用的是硫系晶体的批量变化机制,类似于PCM的设计方向。不过英特尔与美光双方曾再三强调,其XPoint并不属于PCM技术。

  他同时表示,考虑到ReRAM的延迟水平、使用寿命、成本、3D可扩展性、规模化与容量效率外加生态系统支持,西部数据选择了它作为SCM实现方案。其可部署在机架规模的服务器节点设计体系当中,并借此访问共享式与池化SCM,并利用CPU、存储在各类计算设备甚至是智能手机当中构建组合式基础设施——西部数据想得确实够远。

  我们目前还不太清楚ReRAM技术在IOPS与数据吞吐能力方面的具体性能参数,也不了解其设备规格及发展路线图; 该项技术距离实际生产还有很长的道路要走。西部数据公司将把自身3D NAND制造技术引入ReRAM芯片生产,且ReRAM晶片将拥有多层交叉点存储单元。

  那么我们何时才能迎来实际产品?也许要到2017年的闪存记忆体峰会。当然,具体时间点甚至有可能更加靠后。

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